时间：2016-06-16 14:31

启臣微电子/启达科技CR5221/CR5223/CR5224/CR5228/CR5229规格书绿色节能电流模反激 PWM 功率开关

主要特点

• 内置 4ms  软启动以降低功率管开机尖 峰电流
• 采用轻载降频设计，以提高效率和降低 待机功耗
• 采用频率抖动以达到更好的 EMI 性能
• SENCE  峰值电流检测输入端内置前沿 消隐功能
• 无音频噪声工作模式
• 固定工作频率：50KHz
• 内置斜坡补偿
• 低的启动电流和工作电流

• 欠压锁定保护（UVLO）
• 过载保护(OLP)
• 过温保护（OTP）
• 过压保护(OVP)
• 具有动态峰值限定功能，在全电压输入 范围内获得比较一致的最大输出功率
• 保护解除后自动恢复功能
• 3000V ESD
• 高压 BiCMOS 工艺
• 内置 600V MOSFET
• DIP-8L、SOP-8L 绿色封装
• AC/DC 电源适配器
• DVD/DVB 电源
• 备用开关电源
• ADSL 等无线路由器开关电源

概述

CR522X 是内置高压功率 MOSFET 的电流模反激 PWM 控制芯片，适用于 18W 以内的 离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。
为了保证芯片正常工作，CR522X 针对各种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功能 的保护措施，包括软启动、过温保护（OTP）、VDD 欠压锁定保护（UVLO）、过压保护（OVP） 及箝位、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）和图腾柱输出驱动高箝位等，特别对 音频噪声和 FM 干扰进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获 得良好的 EMI 性能。


引脚描述
 

名称	描述
GND	地。
FB	反馈输入引脚。PWM 控制器的占空比由此引脚上的反馈电压和 SENSE 引脚 上的检测电压共同决定。
VDDG	内部栅极驱动电源输入。
SENSE	电流采样输入。
VDD	芯片电源。
Drain	高压 MOSFET 漏极，连接在变压器初级侧线圈一端，线圈另一端接整流输 入电容阳极。

典型应用

 





 

RDS(on)*	漏源之间静态导通电 阻	VGS=10 V， IDS=1A	CR5223 SOP-8		6.5	9.0	?
			CR5221 DIP-8		6.5	9.0	?
			CR5224 DIP-8		5.0	5.8	?
			CR5228 DIP-8		3.8	4.2	?
			CR5229 DIP-8		2.0	3.0	?
频率抖动部分
△f_SOC	频率抖动范围			-4		4	%
过温保护部分
TOTP	过温保护点			135	150	165	0C

 
* 集成化功率 MOSFET 的内阻和封装形式、散热、环境温度都有关系，本说明书所给值为 室温下分立封装的 MOSFET 内阻。


两端产生一个很大的瞬时电压，从而引起错误的 SENCE 峰值电流检测。前沿消隐电路就是 为了滤除 MOSFET 导通瞬间 SENSE 端所产生的瞬时大电压，防止错误的 SENCE 峰值电流 检测。在前沿消隐时间内，功率 MOSFET 始终保持关断。这样就可以节省一个外部的 RC 网络。
 

内部斜波补偿

斜波补偿电路在 SENSE 端检测电压信号上叠加了一个三角波信号。这极大的改善了系 统工作在 CCM 模式的闭环稳定性，防止次谐波振荡，减小输出纹波电压。
 

功率管驱动

CR522X 内置功率 MOSFET 采用栅极软驱动控制。栅极驱动能力太弱将导致较高的开 关损耗；栅极驱动能力太强又将导致 EMI 特性较差。因此两者之间必须采取一定的折中设 计。
内置的 Totem Pole 栅极软驱动设计通过调节驱动强度和死区时间很好地实现了这个折 中关系，从而使芯片更容易降低系统损耗并且实现良好的 EMI 特性设计。除此之外，栅极 的驱动强度还可以通过调整 VDD 和 VDDG 之间的电阻来实现。可以很好的控制漏极的下降 沿，使得系统的 EMI 设计具有更大的灵活性。
 

保护控制

为了确保系统的正常工作，CR522X 内置了多重保护措施。当这些保护措施一旦被触发， 将关断功率 MOSFET。这些保护措施包括逐周期电流限制（OCP）、过温保护（OTP）、过载 保护（OLP）、VDD 欠压锁定（UVLO）保护、过压保护（OVP）和 VDD 箝位功能。
逐周期电流限制（OCP）带有内置线电压补偿，可实现宽输入电压范围（85V~265V） 时恒定功率输出控制。
当 FB 端电压大于过载限制阈值 TD_PL（典型 50ms）后，控制电路关闭功率开关管并一 直保持该状态直到 VDD 电压下降到 UVLO（ON）阈值后，芯片重新启动。
芯片正常工作时 VDD 电压由变压器辅助绕组提供。当 VDD 电压大于 VDD 过压保护阈 值时，CR522X 将关闭输出并一直保持该状态直到 VDD 电压下降到 UVLO（ON）阈值后， 芯片重新启动。当 VDD 电压超过 VDD 箝位阈值时，内部 VDD 箝位电路将 VDD 箝位在 30V， 以保护 VDD 端口。此时 CR522X 的输出仍然关闭。
 
特别注意：CR522X 内建 LEB 前沿消隐电路和 SENSE 部分 RC 滤波电路。由于内建 RC 不能完全适应所有情况下的 SPIKE 的波形特点，部分电路上需要增加 Cs 电容，取值范围 103~104，在应用时候需要特别注意。

特性曲线及波形

(VDD=16V, TA=25℃除非特殊说明


尺寸描述
 

符号	毫米			英寸
	最小	典型	最大	最小	典型	最大
A			5.334			0.210
A1	0.381			0.015
A2	3.175	3.302	3.429	0.125	0.130	0.135
b		1.524			0.060
b1		0.457			0.018
D	9.017	9.271	10.160	0.355	0.365	0.400
E		7.620			0.300
E1	6.223	6.350	6.477	0.245	0.250	0.255
e		2.540			0.100
L	2.921	3.302	3.810	0.115	0.130	0.150
eB	8.509	9.017	9.525	0.335	0.355	0.375
θ?	0?	7?	15?	0?	7?	15?

尺寸描述

 

符号	毫米			英寸
	最小	典型	最大	最小	典型	最大
A	1.346		1.752	0.053		0.069
A1	0.101		0.254	0.004		0.010
b		0.406			0.016
c		0.203			0.008
D	4.648		4.978	0.183		0.196
E	3.810		3.987	0.150		0.157
e	1.016	1.270	1.524	0.040	0.050	0.060
F		0.381X45°			0.015X45°
H	5.791		6.197	0.228		0.244
L	0.406		1.270	0.016		0.050
θ?	0°		8°	0°		8°

产品型号	封装类型	包装材质	一管	一盒	一箱
CR522X	DIP-8L	管装	50	2000	20000

 
DIP-8L 封装产品最小订购量为 2000 片，即一盒的芯片数量。

产品型号	封装类型	包装材质	一管	一盒	一箱
CR522X	SOP-8L	管装	100	10000	100000

 
SOP-8L 封装