CR6884高性能绿色节能PWM控制器
特性
l 较低的启动电流 (大约 3μA)
l 较低的工作电流 (大约 2.5mA)
l 软启动减少开机时MOSFET的漏源电 压应力
l VDD过压保护和输出过压保护功能
l 内部过热保护和外部可编程过热保护
l PWM&PFM&CRM 控制模式
l 内建同步斜波补偿，消除次谐波震荡
l 内建频率抖动功能，降低EMI
l 65kHz开关频率
l 内置LEB电路
l 线电压补偿
l 过载保护
l 峰值负载输出控制
l SOT23-6L封装
基本应用
l AC/DC适配器
l 电视及监视器电源
l 打印机
l 存储设备电源
产品描述
CR6884 是电流模式 PWM 控制器，是一款高集成度、低待机功耗的功率电源模块。 CR6884 轻载时会降低频率，最低频率 25kHz 以消除音频噪声，提高了系统的效率。CR6884 提供了完整的保护功能，如 cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、OVP、UVLO 等，软启 动功能可以减少系统启动时 MOSFET 的应力；前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖 动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了 EMI 设计。CR6884 提供 SOT23-6L 的封装。
管脚描述
|
管脚序号 |
符号 |
描述 |
|
1 |
GND |
地 |
|
2 |
FB |
电压反馈脚，和 CS 共同决定输出占空比，同时此脚控制系统工
作频率。 |
|
3 |
PRT |
外接过热保护和输出电压保护检测脚 |
|
4 |
CS |
电流检测脚，连接电阻在 MOSFET 的源和地之间检测电感电流。 |
|
5 |
VDD |
电源脚 |
|
6 |
GATE |
栅驱动外接功率 MOSFET |
极限参数
|
符号 |
参数 |
值 |
单位 |
|
VDD |
电源电压 |
-0.3 to 30 |
V |
|
ICLAMP |
电源电压箝位电流能力 |
10 |
mA |
|
VFB |
FB脚输入电压 |
-0.3 to 7V |
V |
|
VCS |
CS脚输入电压 |
-0.3 to 7V |
V |
|
VPRT |
PRT脚输入电压 |
-0.3 to 7V |
V |
|
TL |
焊接温度 |
10s |
260 |
℃ |
|
TSTG |
工作结温范围 |
-20 to + 150 |
℃ |
推荐工作环境
|
符号 |
参数 |
最小~最大 |
单位 |
|
VDD |
VDD电压 |
12~26 |
V |
|
TOA |
工作温度 |
-20~85 |
℃ |
电学参数
(TA=25°C 除非特别说明 VDD = 18V)
|
符号 |
参数描述 |
测试条件 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
|
电源部分 (VDD Pin) |
|
IST |
启动电流 |
UVLO_OFF-1V |
|
3.0 |
10.0 |
μA |
|
IOP |
工作电流 |
VFB=3V |
|
2.5 |
3.0 |
mA |
|
IOP_BURST |
Burst 模式是工作电流 |
CS=0，fb=0.5 |
|
0.55 |
0.75 |
mA |
|
UVLO_OFF |
系统启动 VDD 电压 |
|
21.5 |
23 |
24.5 |
V |
|
UVLO_ON |
系统关断 VDD 电压 |
|
7 |
8 |
9 |
V |
|
VPULL_UP |
GATE 上拉 PMOS 开启时
VDD 电压 |
|
|
10 |
|
V |
|
VDD_OVP |
VDD 过压保护 |
|
26.5 |
28 |
29.5 |
V |
|
VDD_CLAMP |
VDD 箝位 |
IVDD=10mA |
31 |
32 |
33 |
V |
|
|
|
AVCS |
PWM 输入增益 △FB/△
CS |
|
|
3.5 |
|
V/V |
|
IFB |
FN 短路电流 |
VFB=0V |
|
250 |
|
μA |
|
VFB |
FB 开路电压 |
VFB=Open |
|
4.8 |
|
V |
|
DMAX |
最大占空比 |
|
74 |
78 |
81 |
% |
|
VREF_GREEN |
进入 PFM 时的 FB 电压 |
|
|
2.1 |
|
V |
|
VBURST_H |
退出 CRM 时 FB 电压 |
|
|
1.33 |
|
V |
|
VBURST_L |
进入 CRM 时的 FB 电压 |
|
|
1.23 |
|
V |
|
VOLP |
过载保护时 FB 电压 |
|
|
4.4 |
|
V |
|
TOLP |
过载保护延迟时间 |
|
|
15 |
|
ms |
|
电流检测部分（CS Pin） |
|
SST |
软启动时间 |
|
|
4 |
|
ms |
|
TLEB |
前沿消隐时间 |
|
|
300 |
|
ns |
|
TD_OC |
过流检测延迟时间 |
|
|
90 |
|
ns |
|
VTH_OC |
0 占空比时过流检测阈值
电压 |
|
0.43 |
0.45 |
0.47 |
V |
|
VTH_OC_CLAMP |
过流检测箝位电压 |
|
|
0.72 |
|
V |
|
VGND_OPEN |
GND 开路检测阈值 |
|
|
0.3 |
|
V |
|
TD_GND_OPEN |
GND 开路检测延迟时间 |
|
|
20 |
|
μs |
|
TD_OCP |
过流保护锁定延迟时间 |
|
|
60 |
|
ms |
|
内部热保护 |
|
OTP |
过热保护检测的温度 |
|
|
150 |
|
℃ |
|
HYS. |
过热保护检测迟滞 |
|
|
30 |
|
℃ |
|
保护部分（PRT pin） |
|
IRT |
外接过热保护检测 PRT 输
出电流 |
|
95 |
100 |
105 |
μA |
|
|
|
VOTP |
外接过热保护检测电压阈
值 |
|
0.95 |
1.0 |
1,05 |
V |
|
TDOTP |
外接过热保护检测延迟时
间 |
|
|
5 |
|
cycles |
|
IOVP |
输出过压保护电流阈值 |
|
|
70 |
|
μA |
|
TD_OVP |
输出过压保护检测延迟时
间 |
|
|
5 |
|
cycles |
|
Gate pin |
|
VOL |
输出低电平 |
IO=5mA |
|
|
1 |
V |
|
VOH |
输出高电平 |
IO=20mA |
6 |
|
|
V |
|
VCLAMP |
输出箝位电压 |
|
|
12 |
|
V |
|
TR |
|
CL=1nF |
|
120 |
|
ns |
|
TF |
|
CL=1nF |
|
30 |
|
ns |
|
振荡器部分 |
|
FOSC |
PWM 频率 |
|
60 |
65 |
70 |
kHz |
|
FPFM |
PFM 时 最小频率 |
|
|
25 |
|
kHz |
|
FOSC_PK |
PWM 峰值频率 |
|
|
142 |
|
kHz |
|
ΔFVDD |
VDD 对 PWM 频率的影响 |
|
|
1 |
|
% |
|
ΔFTEMP |
温度对 PWM 频率的影响 |
-30-100℃ |
|
1 |
|
% |
|
ΔFJITTER |
频率抖动范围 |
|
-6 |
|
6 |
% |
|
SST |
软启动频率 |
|
|
30 |
|
ms |
|
FJITTER |
频率抖动周期 |
|
|
32 |
|
Hz |
工作原理描述
CR6884 是高集成度低成本电流模式 PWM 控制器， AC/DC 反激式电源控制应用。固 定 65kHz 开关频率，在轻载或无负载时工作在 PFM/CRM (Cycle Reset Mode) ，减小的系统 损耗，达到绿色节能的目的。 IC 集成了丰富的保护功能，简化了电路系统应用设计。
启动部分
芯片启动电流很小，一次可以用较大的启动电阻，既能满足启动需要，又可以达到减小 功率损耗的目的。当 VDD 上的电容电压达到启动电压，IC 启动，以后 VDD 就由辅助绕组 提供能量。
绿色节能
对小功率反激电源而言，主要的待机损耗包括传导损耗、开关损耗和控制芯片的损耗， 而这些损耗都和开关频率有关。在轻负载或者无负载时，降低 PWM 工作频率，可以减小待 机功耗。CR6884 采用了 PWM、PFM 和 CRM 相结合的控制方法：在中等负载或重载时， CR6884 工作在 PWM 模式，频率为 65kHz ，通过调节脉冲宽度控制输出电压。FB 电压随 着负载减小而减小，当 FB 反馈电压小于设定电压值 VREF_GREEN 时，内部模式控制器进入 PFM，振荡器的工作频率随着负载的降低而降低，并最终箝位在 23kHz 附近。为了进一步 降低待机功耗，CR6884 引入一种周期复位技术，当 FB 端的反馈电压进一步降低到小于 VBURST_L 时，内部逻辑电路在 PWM 的下降沿对寄存器复位，在 PWM 上升沿通过检测输出 电压值对寄存器置位。内部振荡器频率保持不变，逻辑电路将会复位一些脉冲以至于在输出 GATE 的实际频率降低，从而进一步降低待机功耗。
CR6884 具有峰值功率输出模式，即当负载突然增大，FB 电压上升，频率也随之上升，最大 可达 142kHz，增大输出功率。
内部同步斜波补偿
电流模式控制比普通的电压模式控制具有很多优点，但是同样存在着一些缺点。特别是 当 PWM 占空比大于 50 %,整个控制环路可能变得不稳定,抗干扰性能变差。CR6884 内置一 个同步的斜坡补偿可以提高系统的稳定性，防止电压毛刺产生的次谐波振荡。
外部 OTP 和输出 OVP 检测
CR6884 提供了一个精确的输出短路保护和系统过热保护功能，此功能通过 PRT 脚实检 测，通过频分复用技术分别检测 OTP 和 OVP。在过热保护检测中，当 PRT 脚电压小于 1V 并延迟 5 个周期，进入过热保护锁定状态。连接电阻 ROVP 在辅助绕组和 PRT 之间可以检测 输出过压保护，如果此电阻上流向 RPT 的电流超过 70μA，5 个开关周期后会触发输出过压 保护。调节此电阻的大小，可以设置不同的输出过压保护点。
软启动
VDD 电源启动瞬间，CR6884 芯片内部都将触发软启动功能，即在 VDD 电压达到 UVLO_OFF 以后，在大约 4ms 时间内，峰值电流从 0 上升到最大值峰值电流，以减少电源启 动期间功率管电压应力。注意：无论何种保护导致的 VDD 再次启动，都必将触发软启动功 能。
前沿消隐 (LEB)
开关管的每次开启不可避免带来开关毛刺，它通过 RCS 采样后，对内部逻辑电路带来干 扰，引起内部寄存器的误动作。为了消除开关毛刺的影响，CR6884 中设计了 250ns 的前沿 消隐电路，它可以代替传统的外接 RC 滤波电路，简化外围设计。
功率输出
CR6884 采用特殊的驱动输出，采用软驱动模式，降低功率 MOSFET 开关噪声，同时减 小了功率 MOSFET 开关损耗。同时采用抖动方式，降低的工作噪声，简化 EMI 设计。
保护功能
CR6884 提供了丰富的保护功能，比如 cycle-by-cycle 电流限制、OCP、UVLO、OTP 和 OVP 等。
当输出过载或短路发生时，FB 电压会上升，当 FB 大于 4.4V，并持续 15ms，内部的过 功率保护电路触发并关断 GATE，系统处于锁定状态，直到 VDD 将到 5V 以下系统才能重 新启动。
当 GND 开路时，GND 的电压会高于 CS 电压，如果 GND 的电压高于 CS 电压 0.3V 并
持续 20μs，将触发芯片的 GND 开路保护功能，并关断 IC。
降低 EMI 技术
CR6884 具有频率抖动功能，即开关频率以 65K 为中心频率，在±6%的范围内小幅变化， 从而分散了谐波干扰能量。扩展的频谱降低了窄带 EMI，简化了系统的设计。
|
符号 |
单位（毫米） |
单位（英寸） |
|
|
最小 |
最大 |
最小 |
最大 |
|
A |
0.700 |
1.150 |
0.028 |
0.045 |
|
A1 |
0.000 |
0.100 |
0.000 |
0.004 |
|
B |
1.397 |
1.803 |
0.055 |
0.071 |
|
b |
0.300 |
0.559 |
0.012 |
0.022 |
|
C |
2.591 |
3.000 |
0.102 |
0.118 |
|
D |
2.692 |
3.099 |
0.106 |
0.122 |
|
e |
0.838 |
1.041 |
0.033 |
0.041 |
|
H |
0.080 |
0.254 |
0.003 |
0.010 |
|
L |
0.300 |
0.610 |
0.012 |
0.024 |
|
产品型号 |
封装类型 |
包装材质 |
一盘 |
一盒 |
一箱 |
|
CR6884 |
SOT23-6L |
编带 |
3000 |
30000 |
120000 |
产品最小订购量为30000片，即一盒的芯片数量。
