您当前位置:-> 主页 > 新闻中心 > 行业新闻 >

行业新闻

NEWS

启臣微CR3215H内置高雪崩能力功率MOS非隔离AC/DC

时间:2021-07-02 16:12
启达启臣微CR3215H内置高雪崩能力功率MOS非隔离AC/DC电源芯片
CR3215H高性能可编程非隔离AC/DC转换开关
 
CR3215H主要特点
内置650V高雪崩能力功率MOSFET
内置高压启动和自供电电路
适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
多模式输出(输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出18V)
输出功率可编程
改善EMI的频率抖动技术
优异的负载调整率和工作效率
全面的保护功能:过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB 短路保护, CS 悬空保护,输出过压保护,磁饱和保护等
 
基本应用
非隔离辅助电源
小家电
智能家居
LED


产品概述
CR3215H 集成非隔离式电源控制器,高雪崩能力功率 MOSFET,以及高压启动MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出:输出电压可通过FB 电阻调整,并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 18V 功能。可通过 CS 引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB 短路保护,FB 开路保护,输出过压保护,输出短路保护,磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善 EMI 特性。


引脚分布
CR3215H


引脚描述
引脚序号
符号
描 述
1
VDD
IC 供电引脚
2
GND
芯片地
3
FB
输出电压反馈端,同时作为模式选择端
4
CS
峰值电流检测输入端,可通过外接采样电阻调整峰值电流
5/6/7/8
DRAIN
内置高压 MOSFET 漏端


结构图
CR3215H

CR3215H 内部简化图

 
极限参数
符号
参数
单位
VDD
 VDD 引脚耐压 -0.3 to 30  V
VFB 
FB 引脚耐压 -0.3 to 7  V
VCS
CS 引脚耐压 -0.3 to 7  V
VDRAIN
DRAIN引脚耐压 -0.3 to 650 V
TL
引脚温度      / 焊接时间10秒  260
TJ
最小/最大工作结温 -20 to + 120
TSTG
最小/最大存储温度 -20 to + 120


典型应用
 
CR3215


拓扑结构 型号 最大功率 封装
Buck恒压功率开关 CR3215A 400mA SOP8
Buck恒压功率开关 CR3215H 400mA SOP8

资料太多,未完。。。
[返回]

Copyright © 2002-2020 DEDECMS. 深圳市佳仕达科技有限公司 版权所有 粤ICP备06108901号-1